宏微科技:1200V 40mohm SiC MOSFET芯片研制成功并已通过可靠性验证,部分产品已形成小批量出货
时间:2025-06-07 16:33:40 来源:长白山新闻网 作者:宏观研究 阅读:848次
10月31日消息,宏微科技披露投资者关系活动记录表显示,公司在半导体芯片及模块封装业务方向的研发已取得实质性进展,包括1200V 40mohm SiC MOSFET芯片研制成功并已通过可靠性验证;自主研发的SiC SBD芯片也已通过多家终端客户的可靠性验证和系统级验证,部分产品已形成小批量出货。在模块产品方面,车规级1200V SiC自研模块正在研制中,亦已通过可靠性验证。同时,公司表示会坚决拥护国家利好政策,结合战略规划和经营发展需要,用好回购、增持等资本运作工具提升公司投资价值。关于回购或增持计划,公司将按照法律法规要求及时履行信息披露义务。另外,公司在2024年第三季度,工控领域、新能源发电领域和新能源汽车领域的营收占比分别约为33%、26%和40%,整体营收结构相对稳定。
(责任编辑:时讯)
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